Ввод излучения в фотодиодных модулях

Фотодиодные модули производства ООО «Лазерском»  изготавливаются на основе PIN фотодиодов и лавинных фотодиодов InGaAs (спектральный диапазон 800-1650 нм) и кремниевых PIN фотодиодов (спектральный диапазон 400-1000 нм). Производство этих модулей осуществляется по двум оригинальным технологиям: технологии оптического согласования RM и технологии малого обратного отражения R50 (R30, R40 и т.д.).

В технологии оптического согласования RM пространство между фотодиодом и оптическим волокном заполняется согласующим веществом, что позволяет убрать отражение на торце оптического волокна и увеличить спектральную чувствительность фотодиодов на 4-5%. Возвратные потери при этом обычно составляют около 30 дБ. Фотодиодные модули с оптическим согласованием RM обладают малой поляризационной дисперсией (менее 0.1 дБ, или 2%) и показывают отличную стабильность сигнала.

Фотодиодные модули с малым обратным отражением R50 изготавливаются без согласующей среды с использованием специальной оптики. Это обеспечивает высокие возвратные потери не менее 50 дБ (RL = 50 дБ для R50, RL = 40 дБ для R40 и т.д.), а отсутствие обратно отраженного сигнала улучшает стабильность лазерных передатчиков в ВОЛС. Поляризационно зависимые потери в этом случае не превышают 0.2 дБ, или 5%.